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초록
본 연구에서는 기존의 질화알루미늄갈륨/질화갈륨 이종접합 구조에서 강한 분극현상으로 인하여 구현하기 어려웠던 상시불통형 소자를 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층을 이용하여 구현하는 방법을 제안한다. 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층 위에 더 높은 Al 몰분율을 갖는 장벽층을 성장하고 최상부에 질화갈륨 층을 추가 성장하여 분극전하를 상쇄시키는 방법을 이용하여 선택적으로 게이트 아래의 채널만 공핍시켜 상시불통형 소자를 구현할 수 있다. 이를 통하여 본 연구에서는 상용 전력소자에서 요구하는 게이트 문턱전압 2 V 이상을 갖는 질화알루미늄갈륨 이종접합 전계효과 트랜지스터 에피구조를 제안한다.
키워드
AlGaN; field-effect transistor; normally-off; polarization; 질화알루미늄갈륨; 전계효과 트랜지스터; 상시불통; 분극
- 제목
- 분극 엔지니어링을 통한 상시불통형 질화알루미늄갈륨 이종접합 전계효과 트랜지스터 설계
- 제목 (타언어)
- Design of Normally-Off AlGaN Heterojunction Field Effect Transistor Based on Polarization Engineering
- 저자
- 차호영; 성혁기
- 발행일
- 2012
- 저널명
- 한국정보통신학회논문지
- 권
- 16
- 호
- 12
- 페이지
- 2741 ~ 2746
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국정보통신학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 6 페이지
- ISSN
- E 2288-4165
P 2234-4772