상세 보기
이중 전극 구조를 이용한 반도체 레이저의 직접 변조 성능 향상
Improvement of Direct-Modulation Performances of Semiconductor Lasers by using Dual-Electrode Structure
초록
반도체 레이저의 직접 변조 시에 발생하는 레이저의 주파수 처핑(chirping) 현상을 감소시켜 직접 변조를 하는 레이저 다이오드의 변조 특성을 향상시키기 위하여 이중 전극을 가진 구조의 반도체 레이저를 제안하였다. 이중 전극 레이저는 일반적인 측면 방출형 반도체 레이저와 달리 하나의 광이득 매질에 대하여 전기적으로 전극을 분리한 구조이다. 본 논문에서는 이중 전극 구조의 반도체 레이저를 이용하여 직접 변조시 발생하는 처핑(chirping)과 이에 따른 광신호의 선폭을 감소시킴으로써 단일 전극 구조의 레이저 다이오드와 비교하여 10-Gbps NRZ(non-return-to zero) 신호의 80-km 광전송에 대하여 2.5 dB의 광링크 수신감도 향상을 달성하였다.
키워드
Semiconductor laser; Modulation; Laser chirp; Optical fiber communications; 반도체 레이저; 변조; 레이저 처핑; 광통신; Semiconductor laser; Modulation; Laser chirp; Optical fiber communications
- 제목
- 이중 전극 구조를 이용한 반도체 레이저의 직접 변조 성능 향상
- 제목 (타언어)
- Improvement of Direct-Modulation Performances of Semiconductor Lasers by using Dual-Electrode Structure
- 저자
- 성혁기
- 발행일
- 2011
- 저널명
- 한국정보통신학회논문지
- 권
- 15
- 호
- 3
- 페이지
- 654 ~ 659
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국정보통신학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 6 페이지
- ISSN
- E 2288-4165
P 2234-4772