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초록
대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 이를 통하여 결정화 메커니즘을 결정하는 임계온도를 in-situ 실험과 수치해석을 통해 밝혀내었다.
키워드
결정화; 다결정 실리콘; 줄 가열; Crystallization; Poly-Silicon; Joule-Heating
- 제목
- 비정질 실리콘의 결정화를 위한 줄 가열 유도 결정화 공정에 대한 열적 연구
- 제목 (타언어)
- Thermal Investigation of Joule-Heating-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film
- 저자
- 김동현; 박승호; 홍원의; 노재상
- 발행일
- 2011
- 저널명
- 대한기계학회논문집 B
- 권
- 35
- 호
- 3
- 페이지
- 221 ~ 228