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원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서
NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique
- 양수혁;
- 김형탁
초록
본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO2 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO2 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO2 100 ppm 에 대하여 In-situ SiN이있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1 % 및 17.7 %, 5.5 % 및 38 % 의 감지성능을 확인하였다.
키워드
Atomic layer deposition (ALD); SnO2; AlGaN/GaN HFET; NO2; Sensitivity; In-situ SiN
- 제목
- 원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서
- 제목 (타언어)
- NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique
- 저자
- 양수혁; 김형탁
- 발행일
- 2020
- 저널명
- 전기전자학회논문지
- 권
- 24
- 호
- 4
- 페이지
- 1117 ~ 1121
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국전기전자학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 5 페이지
- ISSN
- E 2288-243X
P 1226-7244