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상시불통형 p-AlGaN-게이트 질화갈륨 이종접합 트랜지스터의 게이트 전압 열화 시험
Reliability Assessment of Normally-off p-AlGaN-gate GaN HEMTs with Gate-bias Stress
- 금동민;
- 김형탁
초록
본 연구에서는 상시불통형 p-AlGaN-게이트 질화갈륨(GaN) 이종접합 트랜지스터의 신뢰성 평가를 위한 가속열화 시험 조건을 수립하기 위해 게이트 전압 열화 시험을 진행하였다. 상시불통형 트랜지스터의 동작 조건을 고려하여 기존 상시도통형 쇼트키-게이트 소자평가에 사용되는 게이트 역전압 시험과 더불어 순전압 시험을 수행하여 열화 특성을 분석하였다. 기존 상시도통형 소자와 달리 상시불통형 소자에서는 게이트 역전압 시험에 의한 열화는 관찰되지 않은 반면, 게이트 순전압 시험에서 심한 열화가 관찰되었다. 상시불통형 질화갈륨 전력 반도체 소자의 신뢰성 평가에 게이트 순전압 열화 시험이 포함되어야 함을 제안한다.
키워드
Gallium nitride(GaN); Normally-off; p-AlGaN-gate; Reliability; Stress tests; HEMTs
- 제목
- 상시불통형 p-AlGaN-게이트 질화갈륨 이종접합 트랜지스터의 게이트 전압 열화 시험
- 제목 (타언어)
- Reliability Assessment of Normally-off p-AlGaN-gate GaN HEMTs with Gate-bias Stress
- 저자
- 금동민; 김형탁
- 발행일
- 2018
- 저널명
- 전기전자학회논문지
- 권
- 22
- 호
- 1
- 페이지
- 205 ~ 208
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국전기전자학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 4 페이지
- ISSN
- E 2288-243X
P 1226-7244